경계현 삼성전자 사장이 2~3년 안에 반도체 세계 1위 자리를 되찾겠다는 계획을 밝혔다. 

경계현 사장은 20일 경기도 수원시 수원컨벤션센터에서 개최한 제55기 삼성전자 주주총회 사업전략 발표를 통해 올해 반도체(DS)부문의 사업 전략을 발표했다.

경 사장은 “2~3년 안에 반도체 세계 1위를 되찾을 계획이다”며, 이를 위해 “메모리는 12나노급 32Gb(기가비트) DDR5 D램를 활용한 128GB(기가바이트) 대용량 모듈 개발로 시장을 선도하고, 12단 적층 HBM 선행을 통해 HBM3와 HBM3E 시장의 주도권을 되찾겠다”고 설명했다. 

또한 D1c D램, 9세대 V낸드, HBM4 등과 같은 신공정을 개발을 통해 첨단공정 비중 확대와 제조 능력 극대화로 원가 경쟁력을 확보할 계획이다. 

경 사장은 파운드리 분야에서도 로드맵을 발표했다. 그는 “업계 최초 GAA(게이트올어라운드) 3나노 공정으로 모바일 AP(애플리케이션 프로세서) 제품의 안정적인 양산을 시작하고 2025년 GAA 2나노 선단 공정의 양산을 준비할 계획”이라고 전했다. 또 “오토모티브, RF(Radio Frequency) 등 특수공정의 완성도를 향상하고 4·5·8·14나노 공정의 성숙도를 높여 고객 포트폴리오를 확대하겠다”고 덧붙였다.

연구개발(R&D)에 대한 과감한 투자도 빼놓지 않았다. 그는 “2030년까지 기흥 R&D 단지에 20조원을 투입하는 등 연구개발에 과감한 투자를 할 것”이라며 “반도체연구소를 양적·질적 측면에서 두 배로 키우고, 연구 인력과 R&D 웨이퍼 투입을 지속적으로 늘려 양산 제품에 빠르게 적용되도록 할 계획”이라고 말했다. 

이어 경 사장은 “올해 본격 회복과 성장의 한 해가 될 것”이라며 올해 반도체 시장에 대해 긍정적 전망을 내놨다.