[이코노믹리뷰=정다희 기자]삼성전자가 '28나노 FD-SOI 공정 기반 M램(embedded Magnetic Random Access Memory)' 솔루션 제품을 출하했다고 6일 밝혔다. 기존 플래시 메모리에 비해 1000배 빠른 속도를 지원하면서도 안정성을 크게 키웠다는 설명이다. 차세대 M램 시장에서 삼성전자의 속도전이 예상된다.

최신 기술로 알려진 FD-SOI 공정은 실리콘 웨이퍼 위에 절연막을 씌워 누설 전류를 줄일 수 있다. 또한 M램은 전원을 차단해도 데이터가 날아가지 않는 비휘발성이면서 D램 수준으로 속도가 빠른 메모리 반도체다. 이 두 기술의 조합으로 전력은 더 적게 소모하면서 속도는 향상됐다는 설명이다. 해당 솔루션 제품은 소형화가 쉽고 가격은 더 낮아진 것이 특징이다.

삼성전자 파운드리 사업부는 SoC에 이 제품을 결합해 파운드리 분야 기술 리더십을 강화했다고 밝혔다. 기술 초격차 전략을 신성장 동력으로 빠르게 체화한다는 의지다.

내장형 메모리는 사물인터넷기기 등 소형 전자 제품에 사용되는 ‘MCU’나 ‘SoC’같은 시스템 반도체에서 정보 저장 역할을 하는 메모리 모듈이다. 주로 플래시(Flash)를 기반으로 한 eFlash(embedded Flash Memory)가 사용된다. 그러나 eFlash는 데이터를 기록할 때 먼저 저장돼있던 기존 데이터를 삭제하는 과정을 거치기 때문에 속도와 전력효율 측면에서 단점이 있었다.

삼성전자의 '28나노 FD-SOI M램'은 데이터 기록시 삭제 과정이 필요 없고, 기존 eFlash보다 약 1000배 빠른 쓰기 속도를 구현한다. 또한, 비휘발성으로 전원이 꺼진 상태에서 저장된 데이터를 계속 유지해 대기 전력을 소모하지 않으며, 데이터 기록시 필요한 동작 전압도 낮아 전력 효율이 뛰어나다.

삼성전자의 M램 솔루션은 단순한 구조를 가지고 있어 기존 로직 공정 기반의 설계에 최소한의 레이어(Layer)를 더하는 것만으로 구현이 가능하기 때문에 고객들의 설계 부담을 줄이고 생산비용 또한 낮출 수 있다.

이상현 삼성전자 파운드리사업부 전략마케팅팀상무는 "신소재 활용에 대한 어려움을 극복하고 차세대 내장형 메모리 솔루션을 선보이게 됐다"며 "이미 검증된 삼성 파운드리의 로직 공정에 M램을 확대 적용하여 차별화된 경쟁력과 뛰어난 생산성을 제공함으로써 고객과 시장의 요구에 대응해갈 것" 이라고 밝혔다.

삼성전자는 올해 안에 1Gb M램 테스트칩 생산을 시작하는 등 내장형 메모리 솔루션을 지속 확대해 차별화된 파운드리 경쟁력을 제공한다는 전략이다.

한편 삼성전자는 6일 기흥캠퍼스에서 '28나노 FD-SOI 공정 기반 M램' 양산 제품의 첫 출하를 기념하는 행사를 가진다.