SK하이닉스 최우진 부사장, 동탑산업훈장 수상··· “끊임없는 기술 혁신으로 글로벌 AI 메모리 시장 선도”

SK하이닉스 P&T(Package & Test)담당 최우진 부사장이 반도체 패키징 분야 기술 혁신을 통해 HBM(고대역폭메모리) 경쟁력 향상을 이루어낸 공로로 동탑산업훈장을 수상했다.

19일 업계에 따르면 최우진 부사장은 지난 7일 서울 여의도 FKI 타워에서 열린 ‘제48회 국가생산성대회’에서 국가생산성대상 동탑산업훈장을 받았다.

산업통상자원부가 주최하고 한국생산성본부가 주관하는 국가생산성대상은 탁월한 생산성 혁신을 달성한 기업 및 유공자에게 수여된다. 최 부사장은 ▲HBM 기술 혁신을 바탕으로 AI 메모리 시장 선도 지위 확보 ▲소부장 글로벌 공급망 불안 해소 ▲제조/기술 혁신을 통한 생산성 향상 및 위기 극복 등의 공로를 인정받아 수훈의 영예를 안았다.

최 부사장은 지난 2019년 HBM 3세대 제품인 HBM2E 패키지에 최초로 MR-MUF 기술을 도입해 열과 압력으로 인한 품질 문제를 개선했으며, 수율을 개선하고 생산량을 끌어올림으로써 시장의 판도를 바꿨다. 또 그는 MR-MUF 기술을 고도화한 ‘어드밴스드 MR-MUF’ 기술을 개발하여 4세대 HBM3 12단과 5세대 HBM3E 개발 및 양산까지 성공으로 이끌었다.

MR-MUF는 적층된 칩 사이의 범프를 녹여 칩끼리 연결하고, 적층된 칩 사이에 보호재를 채워 내구성과 열 방출 효과를 높이는 기술이다. 어드밴스드 MR-MUF는 기존 칩 두께 대비 40% 얇은 칩을 휘어짐 없이 적층할 수 있는 칩 제어 기술이 적용됐으며, 신규 보호재를 통해 방열 특성까지 향상된 차세대 MR-MUF 기술이다.

최 부사장은 2022년 메모리 다운턴 이후 갑작스럽게 늘어난 AI 반도체 물량에 성공적으로 대응했다. 최 부사장은 예정된 투자가 모두 완료된 상태에서 공정 간 생산을 연계해 조정, 추가 투자 없이 제품을 증산하는 데 성공했다. 이는 회사가 AI 메모리 시장에서 승기를 잡는 데 결정적인 역할을 했다.

최 부사장은 또 미중 무역 갈등, 일본의 수출 규제 정책 등으로 대외 여건의 불안정성이 높았던 2019년에는 협력사와 함께 패키징 분야 업계 최고 수준의 국산 장비를 개발했다. 이와 함께 그는 해외 의존도가 높았던 도금액, 접합 소재 등의 국산화까지 이끌어내며, 소재 국산화율을 높이는 데도 기여했다.

최 부사장은 “지난 다운턴을 이겨내고, 세계 최고 수준의 HBM 제품을 위해 함께 헌신하고 노력해 온 회사의 모든 구성원들께 먼저 감사의 인사를 전하고 싶다”며 “많은 도전과 변화 속에서도 우리 모두가 멈추지 않고 혁신과 성장을 추구해 온 덕분에, 제가 이런 큰 상을 받을 수 있었다고 생각한다”고 소감을 밝혔다.