삼성전자 한진만 부사장 “올해 HBM 시설투자 2.5배 확대”

삼성전자 DS부문 미주총괄(DSA)인 한진만 부사장이 11일(현지시간) 미국 라스베이거스 앙코르 호텔에서 기자들과 만나 차세대 메모리 반도체에 과감한 투자를 하겠다며 자신감을 드러냈다. 

한진만 부사장은 “올해 HBM(고대역폭메모리)의 CAPEX(시설투자)를 2.5배 이상으로 늘렸는데, 내년에도 그 정도 수준을 예상하고 있다”고 밝혔다. 

한 부사장은 “미국 엔비디아와 AMD, 인텔 같은 유수의 그래픽처리장치(GPU), 중앙처리장치(CPU) 업체들이 1년마다 새 가속기를 내놓고 있다”며 “가속기 성능을 극대화하려면 메모리 성능이 뒷받침돼야 하기에 메모리 아키텍처 중요성이나 새로운 메모리 아키텍처 필요성에 대한 논의가 본격적으로 시작된 상황”이라고 설명했다. 

이어 “HBM과 저전력더블데이터레이트(LPDDR) D램이나 CXL뿐 아니라 현재 고객과 초기 논의 단계인 여러 형태의 (메모리) 아이디어들이 2~3년 내에는 가시화하고 본격적으로 (관련 시장이) 개화될 것으로 생각한다”고 말했다. 

올해 반도체 업황에 대해선 “예상하지 못했던 글로벌 이벤트가 없다는 가정하에 시장 반등이 확실해 보인다”고 전망했다. 한 부사장은 “중국 시장으로부터 반등 시그널이 보이고 있고 미국 시장도 올해부터 본격적으로 반등할 것으로 본다”며 “고객들의 주문량이 계속 늘고 있다”고 설명했다. 

한 부사장은 특히 “미주 시장은 기술 혁신이 일어나는 곳이기에 서버 시장을 가장 중요하게 본다”고 강조했다. 이어 “제품 경쟁력을 끌어올리고 시설투자를 해서 선단 제품으로의 전환을 지속할 예정이다. 미국 서버 시장에서 점유율을 50% 이상 차지하고 싶은데 열심히 해야 할 것 같다”고 말했다. 또 “2025년 수요가 공급을 초과할 것으로 보고 있기에 올해에는 그 시대를 대비하는 원년이 될 것”이라고 덧붙였다. 

삼성전자는 9~12일 라스베이거스에서 진행되는 세계 최대 전자·IT 전시회 'CES 2024'에 맞춰 앙코르 호텔에 프라이빗 전시 공간을 꾸리고 이날 미디어 대상 최초로 부스를 공개했다. 

부스에서 삼성전자는 생성형 AI의 등장으로 수요가 급증하고 있는 ▲12나노급 32기가비트(Gb) DDR5(Double Data Rate) D램 ▲ HBM3E D램 샤인볼트(Shinebolt) ▲ CXL 메모리 모듈 제품 'CMM-D' 등 차세대 제품을 전시했다.