[이코노믹리뷰=최진홍 기자] SK하이닉스가 업계 최고속 ‘HBM2E’ D램 개발에 성공했다고 12일 발표했다. HBM2E는 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 HBM D램의 차세대 제품으로 확인된다. 이전 규격인 HBM2 대비 처리 속도를 50% 높였다는 설명이다.

HBM2E는 초고속 특성이 필요한 고성능 GPU를 비롯해 머신러닝과 슈퍼컴퓨터, AI등 4차산업 기반 시스템에 적합한 고사양 메모리 솔루션이다. HBM은 칩 자체를 GPU와 같은 로직 칩 등에 수십um(마이크로미터) 간격 수준으로 가까이 장착해 빠른 속도를 자랑하게 만든다.

HBM2E는 3.6기가비트(Gbit/s) 처리 속도를 구현할 수 있어 1024개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 460GByte의 데이터 처리가 가능하다. FHD(Full-HD)급 영화(3.7GB) 124편 분량의 데이터를 1초에 처리할 수 있는 수준이다. 용량은 단일 제품 기준으로 16Gb 칩 8개를 TSV(Through Silicon Via) 기술로 수직 연결해 16GB를 구현했다.

SK하이닉스 HBM사업전략 전준현 담당은 “HBM2E 시장이 열리는 2020년부터 본격 양산을 개시해 프리미엄 메모리 시장에서의 리더십을 지속 강화하겠다”고 밝혔다.